Papers

A CMOS-process-compatible ZnO-based charge-trap flash memory (IF 4.221 ; JCR 17.857% )

2013
작성자
유경종
작성일
2013-05-24 17:48
조회
158
저널명 : IEEE Electron Device Letters, 34(2) 238-240 (2013, FEB)
논문 저자
Yujeong Seo, Min Yeong Song, Ho-Myoung An, and Tae Geun Kim*
chevron-down