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Low power NiN-based resistive switching memory device using Ti doping (IF 3.597 ; JCR 23.548% )

2016
작성자
유경종
작성일
2016-05-24 18:52
조회
150
저널명 : Applied Physics Letters, 109(18) 183507 (2016, OCT)
논문 저자
Dong Su Jeon, Ju Hyun Park, Myung Ju Kim and Tae Geun Kim*
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