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번호 제목 작성자 작성일 추천 조회
21
Synergistic effects of SPR and FRET on the photoluminescence of ZnO nanorod heterostructures (IF 3.551 ; JCR 25.484%)
유경종 | 2011.05.24 | 추천 0 | 조회 243
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20
Multi-Level Programming at a Low-Voltage Step using Junction Avalanche Hot Carrier Injections (IF 3.597 ; JCR 23.548%)
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19
Transparent Resistive Switching Memory using ITO/AlN/ITO Capacitors (IF 4.221 ; JCR 17.857%)
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18
Low-Resistance Nonalloyed Ti/Al Ohmic Contacts to N-Face n-Type GaN via an O2 Plasma Treatment (IF 4.221 ; JCR 17.857%)
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17
High Speed and Low Voltage Performance in a Charge Trapping Flash Memory using a NiO Tunnel Junction (IF 3.169 ; JCR 28.065%)
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16
Stable Bipolar Resistive Switching Characteristics and Resistive Switching Mechanisms Observed in Aluminum Nitride-based ReRAM Devices (IF 2.913 ; JCR 34.516% )
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15
Transparent Resistive Switching Memory using ITO/AlN/ITO Capacitors (IF 4.221 ; JCR 17.857% )
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14
Improved device performance in nonpolar a-plane GaN LEDs using an Ni/Al/Ni/Au n-type ohmic contact (IF 2.291 ; JCR 44.839% )
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13
Design and Simulation of an 808 nm InAlAs/AlGaAs GRIN-SCH Quantum Dot Laser Diode (IF 0.632 ; JCR 90% )
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12
Optimal activation condition of nonpolar a-plane p-type GaN layers grown on r-plane sapphire substrates by MOCVD (IF 1.632 ; JCR 59.615% )
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