Papers

Defect engineering for high-power 780 nm AlGaAs laser diodes (IF 3.553; JCR 34.236%)

2004~2009
작성자
홍석희
작성일
2006-06-17 15:43
조회
158

저널명 : Journal of Materials Science 41(22), 7319-7323 (NOV, 2006)

논문 저자
D. S. Kim; W.C. Choi; G. W. Moon, K. Y. Jang, T. G. Kim, Y. M. Sung
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