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마이크로 발광소자용 반사전극, 이를 구비한 마이크로 발광소자 및 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
등록
등록국
대한민국
등록일자
2019-05-10
등록번호
10-1979307
발명자
김태근, 오상훈, 손경락
산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
등록
등록국
대한민국
등록일자
2019-05-10
등록번호
10-1979308
발명자
김태근, 최혁준
이중 소스층을 가지는 박막 트랜지스터 스위칭 소자 및 그 제조 방법
출원
출원국
대한민국
출원일자
2019-04-16
출원번호
10-2019-0044073
발명자
김태근, 박주현
삼차원 낸드 플래시 메모리 및 그 제조방법
등록
등록국
대한민국
등록일자
2019-04-02
등록번호
10-1970316
발명자
김태근, 최신환
저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 및 그 제조 방법
등록
등록국
대한민국
등록일자
2019-01-31
등록번호
10-1946347
발명자
김태근, 박주현
마이크로 발광소자용 반사전극, 이를 구비한 마이크로 발광소자 및 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
출원
출원국
PCT 출원
출원일자
2018-09-21
출원번호
PCT/KR2018/011258
발명자
김태근, 오상훈, 손경락
Micro light emitting device and method for manufacturing the same
출원
출원국
미국
출원일자
2018-06-15
출원번호
16/009477
발명자
김태근, 손경락
Light meitting device having transparent electrode and method of manufacturing light emitting device
등록
등록국
미국
등록일자
2017-11-21
등록번호
US 9825201 B2
발명자
김태근, 김희동
Light receiving device including transparent electrode and method of manufacturing light receiving device
등록
등록국
미국
등록일자
2017-10-17
등록번호
US 9793423 B2
발명자
김태근, 김희동
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